推挽電路（push-pull）就是兩個不同極性晶體管間連接的輸出電路。它采用兩個參數(shù)相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于電路中，各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù)。電路工作時(shí)，兩只對稱的功率開關(guān)管每次只有一個導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小，效率高。推挽輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。
在電路設(shè)計(jì)中，推挽輸出是一種很常用的輸出模式，具有很多優(yōu)點(diǎn)，如更低的損耗、更安全的輸出等。“推挽”之意，即為當(dāng)一個管子推出去時(shí)，另一個管子拉回來。輸入不同，交替導(dǎo)通。例如，當(dāng)輸入信號為高電平的時(shí)候，上面的管子導(dǎo)通，下面的管子截止，輸出信號為高電平；當(dāng)輸入信號為低電平的時(shí)候，上面的管子截止，下面的管子導(dǎo)通，輸出信號為低電平。
推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個三極管分別受兩互補(bǔ)信號的控制，總是在一個三極管導(dǎo)通的時(shí)候另一個截止。要實(shí)現(xiàn)線與需要用OC（open collector）門電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場合，廣泛應(yīng)用于功放電路和開關(guān)電源中。
推挽輸出高電平
在推挽輸出模式下，一個晶體管用于提供高電平輸出，而另一個晶體管則用于提供低電平輸出。當(dāng)內(nèi)部輸出為1電平時(shí)，上邊的晶體管（如MOS管）導(dǎo)通，同時(shí)下邊的晶體管截止，這時(shí)輸出高電平。
推挽輸出的高電平電壓值取決于電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用環(huán)境。在某些情況下，推挽輸出的高電平可能接近電源電壓，例如3.3伏或5伏。然而，實(shí)際的電壓值可能會受到多種因素的影響，包括晶體管的導(dǎo)通壓降、電源電壓的穩(wěn)定性以及負(fù)載的阻抗等。
在推挽輸出模式下，P-MOS管和N-MOS管同時(shí)工作，通過對兩個MOS管的導(dǎo)通控制，實(shí)現(xiàn)控制輸出高低電平，如圖所示：
因此，要了解推挽輸出的具體高電平值，需要參考相關(guān)的電路設(shè)計(jì)文檔或應(yīng)用手冊，或者通過實(shí)際測量來確定。此外，推挽輸出通常與數(shù)字信號相配合，其中邏輯高電平（通常為Vcc）與一個晶體管連接，邏輯低電平（通常為地）與另一個晶體管連接。
推挽輸出低電平
在推挽輸出模式下，GPIO口是可以直接輸出高低電平的，不需要額外的上來或下拉輔助電路，如圖所示：
推挽輸出電路中的低電平通常是由另一個晶體管（如MOS管）在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)提供的。在這種情況下，輸出端會被拉向低電平，通常是地（GND）或接近地的電壓。
當(dāng)推挽輸出電路中的內(nèi)部信號為0時(shí)，控制低電平輸出的晶體管會導(dǎo)通，而控制高電平輸出的晶體管會截止。這樣，電流會通過導(dǎo)通的晶體管流向地，從而將輸出端拉至低電平。
低電平的電壓值通常接近地電平（0V），但具體的電壓值也會受到多種因素的影響，如晶體管的截止電壓、電源電壓的穩(wěn)定性以及負(fù)載的阻抗等。
推挽輸出電路中的低電平并不是由電源直接提供的，而是通過晶體管的截止?fàn)顟B(tài)來實(shí)現(xiàn)的。因此，低電平的電壓值可能會受到晶體管性能和電路設(shè)計(jì)的影響。
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