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  • 晶體管的主要參數(shù)-晶體管分類有哪些
    • 發(fā)布時間:2021-07-09 16:48:44
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    晶體管的主要參數(shù)-晶體管分類有哪些
    晶體管分類
    1、BJT雙極型:NPN型、PNP型
    晶體管分類
    2、單極型:MOSFET、JFET。
    晶體管分類
    增強型MOSFET(N溝道、P溝道)
    晶體管分類
    耗盡型 MOSFET(N溝道、P溝道)
    晶體管分類
    耗盡型JFET(N溝道、P溝道)
    整理如下:
    晶體管分類
    晶體管分類 | 建議收藏
    由于篇幅有限,因此本文后續(xù)主要講 NPN BJT。
    主要參數(shù)
    1、電流放大系數(shù):表征管子放大作用的主要參數(shù)。
    共射電流放大系數(shù)β
    共射直流電流放大系數(shù)
    共基電流放大系數(shù)
    共基直流電流放大系數(shù)
    2、反向飽和電流
    a、集電極與基極之間的反向飽和電流 Icbo;表示當(dāng)發(fā)射極e開路時,集電極c與基極b之間的反向電流;
    b、集電極與發(fā)射極之間的穿透電流Iceo;表示當(dāng)基極b開路時,集電極c與發(fā)射極e之間的電流。
    3、極限參數(shù)
    a、集電極最大允許電流Icm;
    b、集電極最大允許耗散功率Pcm;
    c、極間反向擊穿電壓:
    U(BR)ceo:基極開路時,集電極和發(fā)射極之間的反向擊穿電壓;
    U(BR)cbo:發(fā)射極開路時,集電極和基極之間的反向擊穿電壓。
    晶體管分類
    NPN BJT基本性質(zhì)
    1、電流關(guān)系
    Ib+Ic=Ie
    Ic=β*Ib
    2、過程分析
    相信每個人都有過輸液打吊水的經(jīng)歷,那么我們可以將Ib、Ic、Uce三者分別想象成輸液流量調(diào)節(jié)開關(guān)、輸液速度、瓶內(nèi)輸液剩余量(等效液壓)。
    (形象理解,自創(chuàng)勿噴)
    晶體管分類
    a、當(dāng)輸液流量調(diào)節(jié)開關(guān)一定時,瓶內(nèi)輸液剩余量越多(等效液壓越大),那么輸液速度越快,對應(yīng)的在三極管開通狀態(tài)下,Ib一定時,Uce越大,對應(yīng)的Ic越大;
    b、當(dāng)瓶內(nèi)輸液剩余量一定時(等效液壓一定時),輸液流量調(diào)節(jié)開關(guān)開的越大,那么輸液速度越快,對應(yīng)的在三極管開通狀態(tài)下,Uce一定時,Ib越大,對應(yīng)的Ic越大;
    c、當(dāng)輸液流量調(diào)節(jié)開關(guān)開的非常小(近乎關(guān)閉時),無論此時瓶內(nèi)輸液剩余量有多少,輸液速度變化不明顯,對應(yīng)在三極管Ib幾乎等于0,即近乎關(guān)閉狀態(tài),Ic不隨Uce增大而增大,即此時三極管處于截止?fàn)顟B(tài);
    d、當(dāng)輸液流量調(diào)節(jié)開關(guān)開的適中時,此時稍微改變改變一下輸出流量控制開關(guān),輸液速度就會有一個明顯變化,對應(yīng)在三極管Ib有一個微小的變化量△ib時,相應(yīng)的集電極也有一個較大的變化量△ic,即此時三極管處于放大狀態(tài);
    e、我們假設(shè)輸液流量調(diào)節(jié)開關(guān)可以無限增大,那么會存在一個輸液過程中會有這樣一個狀態(tài),即當(dāng)輸液流量調(diào)節(jié)開關(guān)增大至輸液速度剛好不再增加時,這種臨界狀態(tài)對應(yīng)于三極管的臨界飽和狀態(tài),此時若繼續(xù)增加輸液流量開關(guān)的大小,那么將進入輸液速度的飽和區(qū)域,即對應(yīng)于三極管的飽和狀態(tài)。
    3、輸入特性曲線
    輸入特性曲線:當(dāng)Uce不變時,三極管輸入回路中的電流Ib與電壓Ube之間的關(guān)系曲線,Ib=f(Ube)|Uce=常數(shù)。當(dāng)Uce增大時,輸入特性曲線會往右移,但是Uce大于某一數(shù)值后,不同Uce的各條輸入特性曲線幾乎重疊在一起。
    晶體管分類
    4、輸出特性曲線
    輸出特性曲線:當(dāng)Ib不變時,三極管輸出回路中的電流Ic與電壓Uce之間的關(guān)系曲線,Ic=f(Uce)|Ib=常數(shù)。
    晶體管分類
    a、截止區(qū)
    Ib≤0;
    Ic≈0,存在Iceo;
    發(fā)射結(jié),集電結(jié)反偏,Ube<0,Ubc<0;
    b、放大區(qū)
    放大區(qū)內(nèi),各條輸出特性曲線近似為水平直線,表示當(dāng)Ib一定時,Ic的值基本不隨Uce而變化,但是,當(dāng)基極電流有一個微小的變化量△ib時,集電極電流將產(chǎn)生較大變化△ic;
    發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,Ube>0,Ubc<0;
    β=△ic/△ib;
    c、飽和區(qū)
    集電極電流Ic基本不隨基極電流Ib而變化;
    三極管壓降很小,一般有Uce<Ube;
    發(fā)射結(jié),集電結(jié)都正偏,Ube>0,Ubc>0;
    β>Ic/Ib;
    d、倒置狀態(tài)
    集電極和發(fā)射極接反的情況;
    一般不會燒掉,但是β會下降嚴(yán)重;
    發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏;
    三種組態(tài)
    放大電路三種組態(tài)如下。
    a、共射組態(tài):基極輸入,集電極輸出。
    晶體管分類
    共射組態(tài)
    b、共基組態(tài):射極輸入,集電極輸出。
    晶體管分類
    共基組態(tài)
    c、共集組態(tài):基極輸入,射極輸出。
    晶體管分類
    共集組態(tài)
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