以FAN7888驅(qū)動(dòng)器的芯片手冊(cè)中的示意圖為例：

MOS管導(dǎo)通的條件是G極與S極有壓差，下管MOS管要保證有壓差的話(huà)，直接用驅(qū)動(dòng)芯片的12V供電來(lái)提供供電，S極接GND，就很容易保證供電。

但是MOS管上管的S級(jí)接的是下管的D極，當(dāng)上管導(dǎo)通的時(shí)候，上管S極接的是電源供電，也就是24V，這時(shí)上管S極需要有36V才可以，但是驅(qū)動(dòng)芯片的供電是12V，這時(shí)就需要電容C1。

當(dāng)驅(qū)動(dòng)器發(fā)送互補(bǔ)PWM時(shí)，下管MOS管打開(kāi)時(shí)，電容通過(guò)供電電源，經(jīng)二極管進(jìn)行充電，當(dāng)下管關(guān)閉，上管導(dǎo)通時(shí)，供電電壓由電容C1提供，這時(shí)輸出通道HO1就可以正常輸出使MOS管導(dǎo)通，因此互補(bǔ)PWM不能發(fā)100%占空比。

如果發(fā)100%占空比，電容C1就充不了電，就無(wú)法驅(qū)動(dòng)MOS管上管。

根據(jù)這個(gè)原理，在之后的驅(qū)動(dòng)器測(cè)試中，要測(cè)試驅(qū)動(dòng)能發(fā)出的最大PWM，就可以通過(guò)測(cè)試VB與VS的壓差來(lái)確定，正常應(yīng)該能充電達(dá)到11~12V，芯片手冊(cè)上寫(xiě)的是最少8V，但是需要留有余量，當(dāng)充電壓差到10V時(shí)，基本就是驅(qū)動(dòng)器的極限了。測(cè)試了其他廠(chǎng)家生產(chǎn)的驅(qū)動(dòng)器的最大PWM，從上管關(guān)閉到下一個(gè)周期上管打開(kāi)的時(shí)間差是100ns，頻率是15K，可以說(shuō)占空比是非常極限了，我自己嘗試99%占空比，同樣的頻率，這個(gè)時(shí)間差是1us，也就是說(shuō)，還有非常大的提升空間。

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